前段時(shí)間，有傳聞表示，由于美國(guó)打壓華為力度提升，導(dǎo)致其對(duì)先進(jìn)工藝的需求放緩，繼而影響了臺(tái)積電的7nm、5nm工藝產(chǎn)能計(jì)劃，并且其3nm工藝也被迫延期2個(gè)季度，直到2021年Q3季度才會(huì)風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。
日前，針對(duì)該傳聞，臺(tái)積電正式回應(yīng)稱一切按照計(jì)劃進(jìn)行，3nm工藝將如期在2021年Q1季度試產(chǎn)，2022年下半年正式量產(chǎn)，不會(huì)延期。
據(jù)悉，臺(tái)積電3nm是5nm之后的下一代節(jié)點(diǎn)，官方信息顯示3nm工藝晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2，而5nm工藝不過(guò)是1.8億/mm2，而3nm性能較5nm提升7%，能耗比提升15%。
在工藝上，臺(tái)積電評(píng)估多種選擇后認(rèn)為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳，所以3nm首發(fā)依然會(huì)是FinFET晶體管技術(shù)。話說(shuō)，就目前的情況而言，華為海思首發(fā)3nm工藝的可能性非常小，蘋果A系列芯片有很大概率會(huì)首發(fā)該工藝。
責(zé)任編輯：
