中科院對外宣布，中國科學(xué)家研發(fā)除了新型垂直納米環(huán)柵晶體管，這種新型晶體管被視為 2nm 及以下工藝的主要技術(shù)候選。這意味著此項(xiàng)技術(shù)成熟后，國產(chǎn) 2nm 芯片有望成功“破冰”。目前最為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)為 7nm+Euv 工藝制程，比較出名的就是華為的麒麟 990 5G 芯片，內(nèi)置了超過 100 億個(gè)晶體管。麒麟 990 首次將將 5G Modem 集成到 SoC 上，也是全球首款集成 5G Soc，技術(shù)上的確實(shí)現(xiàn)了巨大突破，也是國產(chǎn)芯片里程碑式的意義。
繼華為之后，中科院研發(fā)出了 2nm 及以下工藝所需要的新型晶體管――疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。據(jù)悉，早在 2016 年官方就開始針對此類技術(shù)開展相關(guān)研究，歷經(jīng)重重困難，中科院斬獲全球第一，研發(fā)出世界上首個(gè)具有自對準(zhǔn)柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管。同時(shí)這一專利還獲得了多項(xiàng)發(fā)明專利授權(quán)，中科院的這項(xiàng)研究成果意義很大，這種新型垂直納米環(huán)柵晶體管被視為 2nm 及以下工藝的主要技術(shù)候選，可能對國產(chǎn)芯片制造有巨大推動(dòng)作用。相信在 5 年的時(shí)間內(nèi)，在技術(shù)方面將實(shí)現(xiàn)全面突破。切斷對于華為的技術(shù)提供，這將是中國整體研發(fā)芯片的一個(gè)里程碑式轉(zhuǎn)折，中國將不再過于依賴美國所提供的相關(guān)芯片及其技術(shù)。
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把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)，這便是集成電路，也叫做芯片和IC。集成電路中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。
半導(dǎo)體位于電子行業(yè)的中游，上游是電子材料和設(shè)備。半導(dǎo)體和被動(dòng)元件以及模組器件通過集成電路板連接，構(gòu)成了智能手機(jī)、PC等電子產(chǎn)品的核心部件，承擔(dān)信息的載體和傳輸功能，成為信息化社會(huì)的基石。
集成電路產(chǎn)業(yè)主要有以下特征：制造工序多、產(chǎn)品種類多、技術(shù)換代快、投資大風(fēng)險(xiǎn)高。核心產(chǎn)業(yè)鏈流程可以簡單描述為：IC設(shè)計(jì)公司根據(jù)下游戶（系統(tǒng)廠商）的需求設(shè)計(jì)芯片，然后交給晶圓代工廠進(jìn)行制造，這些IC制造公司主要的任務(wù)就是把IC設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測廠，由封裝測試廠進(jìn)行封裝測試，最后將性能良好的IC 產(chǎn)品出售給系統(tǒng)廠商。IC制造的流程較為復(fù)雜，過程與傳統(tǒng)相片的制造過程有一定相似主要步驟包括：薄膜→光刻→顯影→蝕刻→光阻去除。薄膜制備：在晶圓片表面上生長數(shù)層材質(zhì)不同，厚度不同的薄膜；光刻：將掩膜板上的圖形復(fù)制到硅片上。
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