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臺(tái)積電5nm工藝良率已超7nm初期

時(shí)間:2019-12-02 00:16來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 瀏覽:
近日有消息透露,臺(tái)積電的5nm制程工藝已經(jīng)日漸成熟,目前良率已經(jīng)可以達(dá)到35%到40%,表現(xiàn)已經(jīng)超過(guò)了7nm工藝的初期水平。根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃

近日有消息透露,臺(tái)積電的5nm制程工藝已經(jīng)日漸成熟,目前良率已經(jīng)可以達(dá)到35%到40%,表現(xiàn)已經(jīng)超過(guò)了7nm工藝的初期水平。

根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃,5nm工藝首先在南科Fab 18工廠一期量產(chǎn),明年Q3機(jī)電室產(chǎn)能達(dá)到5.5萬(wàn)片晶圓/月,F(xiàn)ab 18工廠的二期工程也規(guī)劃了5.5萬(wàn)片晶圓/月的產(chǎn)能,預(yù)計(jì)在2021年上半年準(zhǔn)備就緒。

傳聞,臺(tái)積電的5nm制程工藝今年9月就已經(jīng)達(dá)到了試產(chǎn)水平,蘋(píng)果和華為的新一代旗艦處理器均使用5nm制程工藝進(jìn)行了流片驗(yàn)證。

預(yù)計(jì)明年7月,臺(tái)積電的5nm制程工藝良率將提升至可以大規(guī)模量產(chǎn)的水平,為蘋(píng)果A14芯片的量產(chǎn)做好準(zhǔn)備,從而保證2020年新款iphone的順利上市。

根據(jù)臺(tái)積電公布的數(shù)據(jù),與7nm(第一代DUV)工藝相比使用A72架構(gòu)的全新5nm芯片能夠提供1.8倍的邏輯密度、速度增快15%,或者功耗降低30%。

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