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三星傳來新消息，事關(guān)3nm芯片臺積電一直是芯片制造行業(yè)的巨頭，市場份額世界第一，遠超三星、中芯國際、英特爾等競爭對手。但是并不意味著臺積電就可以高枕無憂，因為三星也在加緊攻克先進工藝。
目前臺積電和三星都成功突破了5nm量產(chǎn)技術(shù)，并且各自生產(chǎn)出A14，驍龍888等高端旗艦芯片。據(jù)臺積電的工藝路線可知，更先進的3nm需要到2022年下半年才能實現(xiàn)量產(chǎn)。在此之前，還處在部署階段。
然而，三星傳來新消息，率先臺積電在3nm取得突破。據(jù)三星宣布，3nm芯片已經(jīng)實現(xiàn)了流片。在與新思科技合作后，雙方共同開發(fā)出了GAA架構(gòu)，在這一架構(gòu)下，3nm制程的芯片完成的流片測試。
而且在性能方面，3nm的GAA工藝超越了臺積電的3nm FinFET架構(gòu)。相比于5nm制程，三星的3nm功耗可以降低50%，性能提升30%。整體的芯片運行效率，性能表現(xiàn)都實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
三星傳來3nm的新消息，流片意味著三星已經(jīng)完成了芯片測試。接下來就是等待進一步的大規(guī)模量產(chǎn)，就算再慢，恐怕也能在臺積電量產(chǎn)3nm之前，取得量產(chǎn)突破。
人類的芯片工藝節(jié)點再次向前邁進，以前一直是臺積電處于領(lǐng)先地位。幾乎每一項的工藝制程都是臺積電率先實現(xiàn)突破，包括5nm也比三星提前幾個季度量產(chǎn)?？墒桥_積電始料未及，萬萬沒有想到三星的發(fā)展速度這么快。
或許從3nm開始，三星要開始發(fā)力了。值得注意的是，三星能夠這么快取得3nm的流片，其實是和美國新思科技公司共同努力的成果，雙方參與了GAA架構(gòu)的流片研究，實現(xiàn)比FinFET更好的靜電特性。
三星通過合作的方式取得3nm的突破，而臺積電一直是單打獨斗。但不論如何，取得的突破都是實實在在地。不只是3nm，2nm恐怕也會是三星領(lǐng)先。
今年5月份傳來IBM公司研制出2nm芯片的消息，這一消息的傳出引起世界半導(dǎo)體行業(yè)的
不過這家美國計算機公司并不具備實際制造的能力，研制出2nm也僅僅是制造技術(shù)。將來IBM如果要打造2nm的話，很大程度上會和三星合作，把這項2nm芯片制造技術(shù)交給三星生產(chǎn)。
關(guān)于2nm，臺積電還并未傳來相關(guān)技術(shù)進展，雖然不排除保密的原因，但如果得到IBM 2nm芯片技術(shù)的支持，三星有望引領(lǐng)一個工藝制程時代的發(fā)展。這也是臺積電始料未及的地方。
三星已經(jīng)在加快腳步了，雖然臺積電在產(chǎn)能，市場份額都有領(lǐng)先優(yōu)勢，但三星并沒有放棄追趕。目標是在未來十年內(nèi)，超越臺積電成為全球最大的芯片廠商。
對此，三星還將2030年之前的投資提升至1514億美元，在非存儲芯片領(lǐng)域加大投資力度。和臺積電正面競爭，并一舉超越臺積電。
那么三星的目標能否實現(xiàn)呢？就目前三星的發(fā)展趨勢來看，已經(jīng)在某個技術(shù)領(lǐng)域威脅到臺積電的地位了。如果三星能大幅度提升產(chǎn)能，并且穩(wěn)定良率的話，或許會縮短和臺積電市場份額的距離。
而且摩爾定律終會走到盡頭，臺積電發(fā)展得再快，也終有放慢腳步的一天。到時候三星的機會就來了，不過三星還并未取得3nm的量產(chǎn)，想要超越臺積電不是一個小目標。就看三星是否還有更多的底牌了。
三星3nm流片成功，這對芯片行業(yè)無疑是一個重磅消息。不僅給了全球半導(dǎo)體更大的市場空間，也讓各大巨頭們開始加速3nm的研發(fā)設(shè)計。
不出意外，明年下半年會迎來一系列的3nm芯片產(chǎn)品上市，在消費市場的背后，其實也是臺積電，三星的暗自較量。三星不會放棄追趕，臺積電也會繼續(xù)前進，誰能更勝一籌，讓我們拭目以待。
對三星3nm流片成功你有什么看法呢？
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