作者 朱紫薇
11月28日晚，集微網(wǎng)援引業(yè)內(nèi)人士的話透露，華為已開始自主研發(fā)IGBT器件，目前正在從某國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IGBT廠商中挖人。
IGBT作為自動(dòng)控制和功率變換的核心部件，對(duì)于軌道交通、航空航天、新能源、智能電網(wǎng)、智能家電這些朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)至關(guān)重要。
據(jù)華為官網(wǎng)顯示，IGBT早已成為其UPS電源的核心器件。做為一種雙極晶體管復(fù)合的器件，IGBT不僅具有易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單，開關(guān)頻率高等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又具備導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小等技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
但據(jù)公開消息表示，華為的研發(fā)此前并不涉及功率半導(dǎo)體，而其需要的IGBT產(chǎn)品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購(gòu)。
不過，在被美國(guó)加入 “實(shí)體清單”后，華為選擇開始研發(fā)IGBT器件。
集微網(wǎng)稱，隨著全球制造業(yè)向中國(guó)的轉(zhuǎn)移，我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上，是全球最大的IGBT市場(chǎng)。
但I(xiàn)GBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，長(zhǎng)期被英飛凌，三菱，富士電機(jī)等國(guó)外巨頭壟斷全球場(chǎng)。
更值得注意的是，在中高端領(lǐng)域的IGBT器件更是90%以上依賴進(jìn)口，IGBT國(guó)產(chǎn)化迫在眉睫。
從2011年12月，北車西安永電成為國(guó)內(nèi)第一個(gè)、世界第四個(gè)，能夠封裝6500V以上IGBT產(chǎn)品的企業(yè)，再到2015年10月，中車永電與上海先進(jìn)半導(dǎo)體公司聯(lián)合開發(fā)的，國(guó)內(nèi)首個(gè)具有完全知識(shí)產(chǎn)權(quán)的6500V高鐵機(jī)車用IGBT芯片，通過高鐵系統(tǒng)上車試驗(yàn)。
事實(shí)上，中國(guó)一直試圖打破IGBT基本依賴于進(jìn)口的窘境。
值得一提的是，工信部也在10月8日表示，將持續(xù)推進(jìn)芯片、IGBT模塊等產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
