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2.5億\u002Fmm2,臺積電公布3nm工藝細節(jié),晶體管密

時間:2020-04-29 18:07來源:網絡整理 瀏覽:
臺積電3nm工藝首選FinFET晶體管技術。臺積電3nm工藝晶體管密度達到了2.5億/mm2。繼公布2020年第一季度財報,凈利潤遠高于去年

臺積電3nm工藝首選FinFET晶體管技術。

臺積電3nm工藝晶體管密度達到了2.5億/mm2。

繼公布2020年第一季度財報,凈利潤遠高于去年同期后,臺積電又公開了自研最新3nm工藝的細節(jié):晶體管密度達2.5億/mm2,是7nm工藝的3.6倍,可將奔騰4處理器縮小到普通針頭大小。

2.5億/mm2,臺積電公布3nm工藝細節(jié),晶體管密度是7nm的3.6倍

基于如此高的晶體管密度,臺積電3nm工藝的整體性能也較前幾代工藝有了很大程度的提升,較7nm工藝性能提升15%,能耗提升30%;較5nm工藝性能提升7%,能耗提升15%。

根據臺積電公布的今年一季度財報,在制程工藝上,7nm工藝營收占總營收的35%,10nm工藝占營收的0.5%,16nm工藝占總營收的19%,可見當前先進工藝是臺積電營收的重要組成部分。

而在公布財報后的電話會議上,臺積電也透露,3nm工藝研發(fā)進程沒有受到疫情影響,依舊首選成本和能效都上佳的FinFET晶體管技術,并且將持續(xù)投入,預計在2021年進入風險試產階段,2022年下半年量產。

與此同時,同樣在3nm工藝上持續(xù)投入的三星也正積極促進該工藝量產,不過它們選擇的是GAA環(huán)繞柵極晶體管技術,可見三星對3nm委以重任。

從當前來看,兩家公司的3nm工藝研發(fā)進程基本一致,雖然三星曾計劃在2021年量產該工藝,但受疫情影響推遲到了2022年,究竟誰能率先進入量產階段,我們拭目以待。

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2.5億/mm2,臺積電公布3nm工藝細節(jié),晶體管密度是7nm的3.6倍

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