據(jù)媒體報(bào)道，由于受到全球新冠肺炎疫情影響，臺(tái)積電(TSM.US)三納米試產(chǎn)線裝設(shè)被迫延后。
早前，臺(tái)積電宣布原本4月29日在美國(guó)舉行的技術(shù)論壇延期。臺(tái)積電去年宣布投資200億美元推進(jìn)3nm工藝，目前已經(jīng)在前期的建廠準(zhǔn)備中，預(yù)計(jì)最快2022年量產(chǎn)。
3nm制程是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷年來最大手筆的投資，更是爭(zhēng)霸的關(guān)鍵之戰(zhàn)。臺(tái)積電將3納米計(jì)劃留在臺(tái)灣，奠定中國(guó)臺(tái)灣成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造重心，也掀起強(qiáng)大的群聚效應(yīng)。
由于其主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星也在大舉押注3nm制程，臺(tái)積電延后試產(chǎn)，也讓這場(chǎng)雙強(qiáng)爭(zhēng)斗更添變數(shù)。在3nm上，三星可以說已經(jīng)搶先一步，去年就宣布了3nm GAE工藝，將在3nm節(jié)點(diǎn)放棄FinFET 晶體管，轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，比7nm工藝，3nm GAE工藝號(hào)稱可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
在半導(dǎo)體方面，三星一直在努力追趕臺(tái)積電，在14nm、10nm、7nm制程上被臺(tái)積電大幅領(lǐng)先，所以三星跳過5nm，直接決戰(zhàn)3nm制程，計(jì)劃在2030年前投資千億美元，希望超越臺(tái)積電成為全球第一大晶圓代工廠。
原本臺(tái)積電將于4月29日舉行北美技術(shù)論壇公布3nm制程，再度引爆戰(zhàn)火。但臺(tái)積電已決定將論壇延至8月24日，其他地區(qū)的技術(shù)研討會(huì)將在9月重新安排。這場(chǎng)半導(dǎo)體雙強(qiáng)的3nm爭(zhēng)霸之戰(zhàn)，會(huì)有什么變數(shù)呢？臺(tái)積電3nm的延期是否會(huì)給三星帶來機(jī)會(huì)？讓我們靜觀其變。
