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Intel未來都交給它了!巨頭卻不屑一顧

時(shí)間:2020-02-21 16:55來源:網(wǎng)絡(luò)整理 瀏覽:
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NAND閃存無疑是當(dāng)下乃至未來最主流的存儲(chǔ)技術(shù),但也有不少新的存儲(chǔ)技術(shù)在探索和推進(jìn),Intel 3D XPoint(傲騰)就是典型代表(曾與美光合作研發(fā)如今已分手),產(chǎn)品也是多點(diǎn)開花,Intel對(duì)它頗為倚重。

不過,鎧俠(Kioxia/原東芝存儲(chǔ))對(duì)于Intel傲騰技術(shù)卻有些不屑一顧,認(rèn)為還是應(yīng)該堅(jiān)持走NAND路線,尤其是自家新研發(fā)的XL-Flash技術(shù)更有前景。

Intel 3D XPoint存儲(chǔ)使用相變材料來調(diào)節(jié)存儲(chǔ)單元的電阻,再通過電子選擇器開關(guān)來訪問,通過交替改變字線和位線的方向保比特位可尋址特性。如果需要堆疊更多層數(shù),就需要增加額外的字線和位線,以及其間的單元。

鎧俠認(rèn)為,3D XPoint傲騰這種存儲(chǔ)技術(shù)存在很多缺陷,尤其是仍然局限于單層,而相比于在每一層內(nèi)增加比特位,增加層數(shù)會(huì)導(dǎo)致復(fù)雜性、成本急劇增加,控制電路也會(huì)損失一部分面積,并嚴(yán)重影響產(chǎn)能。

相比之下,3D NAND閃存技術(shù)要成熟得多,蝕刻和填充步驟可以一次覆蓋多層,目前已有大量的90多層產(chǎn)品已上市,100多層的也就在不遠(yuǎn)處,這是一種行之有效的思路,面積上的損失幾乎為零,產(chǎn)能影響也很小。

另外,3D NAND的成本會(huì)隨著層數(shù)的不斷增加而持續(xù)降低,盡管會(huì)越來越不明顯,但是3D XPoint技術(shù)在堆疊到四五層后,成本反而會(huì)迅速增加,失去擴(kuò)展性。

當(dāng)然,鎧俠的這一番言論目的還是推銷自家的XL-Flash,去年8月份才剛剛提出,將在今年大規(guī)模量產(chǎn)。

這種技術(shù)介于傳統(tǒng)DRAM內(nèi)存、NAND Flash閃存之間,可以理解為一種采用3D立體封裝、延遲超低的SLC閃存,單Die容量128Gb,支持兩個(gè)、四個(gè)、八個(gè)Die整合封裝,單顆容量最大128GB,而且分成了多達(dá)16層,延遲不超過5微秒。

對(duì)于這樣的說法,Intel肯定不會(huì)同意。事實(shí)上,Intel一直在并行發(fā)展3D NAND、3D XPoint,前者已經(jīng)量產(chǎn)96層QLC,明年還會(huì)有144層QLC,后者也準(zhǔn)備好了擴(kuò)展到雙層,未來還有四層、八層。

Intel還已透露,下代傲騰產(chǎn)品“Aerospike”預(yù)計(jì)可以做到130萬左右的超高IOPS,是現(xiàn)在傲騰SSD DC P4800X的大約三倍,更是NAND閃存硬盤的四倍多,同時(shí)失敗率極低,只有NAND閃存的大約50分之一,而作為拿手好戲的延遲更是一騎絕塵。

此外針對(duì)3D NAND閃存,Intel、鎧俠等都在研究5個(gè)比特位的PLC。

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