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助力臺(tái)積電三星崛起,65歲的梁孟松,用300天讓中

時(shí)間:2019-12-19 15:01來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 瀏覽:
三星半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直都是其利潤(rùn)支柱和技術(shù)基石,從三星創(chuàng)立開始韓國(guó)就鼎立支持三星的發(fā)展,助力其進(jìn)入存儲(chǔ)芯片、CMOS圖像傳感器的全球第一梯隊(duì)。2

三星半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直都是其利潤(rùn)支柱和技術(shù)基石,從三星創(chuàng)立開始韓國(guó)就鼎立支持三星的發(fā)展,助力其進(jìn)入存儲(chǔ)芯片、CMOS圖像傳感器的全球第一梯隊(duì)。



2005年,三星電子開始進(jìn)入12英寸邏輯工藝晶圓代工領(lǐng)域,此后依靠與蘋果的合作三星得到了進(jìn)一步的發(fā)展,從2007年喬布斯發(fā)布第一款iPhone 開始,蘋果的第一代、第二代和第三代都是向三星采購(gòu)的ARM架構(gòu)芯片,接下來(lái)的A4、A5、A6和A7也都是由三星代工。



2014年,三星在20nm上遲遲無(wú)法解決關(guān)鍵問(wèn)題,良率不能滿足。而這時(shí)又是三星、臺(tái)積電和蘋果A系列處理器代工關(guān)系的轉(zhuǎn)變期。當(dāng)時(shí),蘋果正在大力推行去三星化,一旦出現(xiàn)在技術(shù)、產(chǎn)能上可以與三星匹敵的供應(yīng)商,蘋果會(huì)馬上放棄三星。而臺(tái)積電2013年就已經(jīng)完成了產(chǎn)能提升,且在20nm制程上實(shí)現(xiàn)突破,良率也大幅提升。

在三星陷入危難之際,一個(gè)人改變了局面,他就是梁孟松,他出生于1952年,是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士,畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年,在四十歲那年(一九九二年)返回臺(tái)積電。



在美國(guó)專利局的資料庫(kù)里,梁孟松參與發(fā)明的半導(dǎo)體技術(shù)專利有181件,全部都是最先進(jìn)、最專業(yè)、最重要先進(jìn)制程的技術(shù)研發(fā),因此他曾被稱為張忠謀的左右手。他曾經(jīng)幫助臺(tái)積電在130納米“銅制程”之戰(zhàn)中戰(zhàn)勝了IBM,確立了臺(tái)積電在晶圓代工市場(chǎng)的地位。

為臺(tái)積電立下了赫赫戰(zhàn)功的梁孟松原以為會(huì)獲得晉升的機(jī)會(huì),卻沒(méi)想到臺(tái)積電從英特爾挖來(lái)先進(jìn)技術(shù)研發(fā)協(xié)理羅唯仁來(lái)做資深研發(fā)副總裁。

一怒之下2009年梁孟松從臺(tái)積電離職,當(dāng)年加入韓國(guó)成均館大學(xué)任教,2011年,三星高薪聘請(qǐng)梁孟松,三星承諾用三年就給梁開出在臺(tái)積電10年能賺到的錢,此外三星還出動(dòng)行政專機(jī),載他和其它臺(tái)積電前員工往返臺(tái)灣和韓國(guó),在如此豐厚的條件下,梁孟松選擇加入了三星。



梁孟松就力排眾議,主張三星放棄已經(jīng)跟不上節(jié)奏的20nm制程,直接由28nm制程升級(jí)14nm。

要知道在之前,芯片都是采用MOSFET 的結(jié)構(gòu),到現(xiàn)在已使用超過(guò) 40 年,當(dāng)半導(dǎo)體研發(fā)人員想要研發(fā)20納米以下芯片的時(shí)候發(fā)現(xiàn),當(dāng)閘極長(zhǎng)度縮小到 20 納米以下的時(shí)候,遇到了許多問(wèn)題,其中最麻煩的是當(dāng)閘極長(zhǎng)度愈小,源極和汲極的距離就愈近,閘極下方的氧化物也愈薄,電子有可能偷偷溜過(guò)去產(chǎn)生“漏電”;另外一個(gè)更麻煩的問(wèn)題,原本電子是否能由源極流到汲極是由閘極電壓來(lái)控制的,但是閘極長(zhǎng)度愈小,則閘極與通道之間的接觸面積愈小,也就是閘極對(duì)通道的影響力愈小。

所以20納米以下的芯片需要采用全新的FinFET 技術(shù),也叫做鰭式場(chǎng)效電晶體。鰭式場(chǎng)效電晶體是閘極長(zhǎng)度縮小到 20 奈米以下的關(guān)鍵,擁有這個(gè)技術(shù)的制程與專利,才能確保未來(lái)在半導(dǎo)體市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。

而這個(gè)技術(shù)的發(fā)明人是胡正明教授,也就是梁孟松的老師,當(dāng)梁孟松跳槽到了三星之后,臺(tái)積電在研發(fā)20納米以下芯片的時(shí)候,才發(fā)現(xiàn)了這個(gè)問(wèn)題。

也正是因?yàn)榱好纤傻呐Γ?2015年2月16日,三星宣布將量產(chǎn)14nm芯片,并且搭載在手機(jī)里,而此次臺(tái)積電才掌握16nm技術(shù)。

而臺(tái)積電與三星之間矛盾的爆發(fā),是蘋果A9處理器之爭(zhēng),原本蘋果芯片是三星的獨(dú)門生意,后來(lái)因?yàn)榕_(tái)積電制程領(lǐng)先,蘋果選擇了臺(tái)積電代工A8處理器,而在A9處理器代工上,三星制程又再次領(lǐng)先,等于又有了話語(yǔ)權(quán)。

三星14納米FinFET提不僅拿下了蘋果的單,又拿下高通的大單,一時(shí)間可謂春風(fēng)得意。

三星14納米投產(chǎn)

這家曾被張忠謀稱為“雷達(dá)上一個(gè)小點(diǎn)”的韓國(guó)企業(yè),讓臺(tái)積電準(zhǔn)備了約十年時(shí)間的16納米FinFET初嘗敗績(jī),要知道之前,臺(tái)積電在28納米制程工藝芯片市場(chǎng)的占有率接近100%,堪稱在晶圓代工市場(chǎng)擁有壟斷性的地位。這也是臺(tái)積電近十多年以來(lái),首度在邏輯制程技術(shù)落后亞洲同業(yè)。(當(dāng)然,在此次事件之后,臺(tái)積電加緊了研發(fā),在10nm、7nm、5nm上都實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先)

在這場(chǎng)最關(guān)鍵的一戰(zhàn)中,梁孟松起到了決定性的作用。以一人的去留,能左右兩家半導(dǎo)體企業(yè)的消長(zhǎng)。梁孟松因此被譽(yù)為半導(dǎo)體行業(yè)的傳奇。

三星在此次之后可以說(shuō)抓住機(jī)會(huì)迅速發(fā)展,2017年,三星分拆晶圓代工部門,讓該部門獨(dú)立發(fā)展,并進(jìn)行巨額投資。三星下決心讓獨(dú)立運(yùn)營(yíng)發(fā)展的晶圓代工部門與只專注代工的臺(tái)積電正面競(jìng)爭(zhēng)。并且,三星在策略上很激進(jìn),就是開出更優(yōu)惠的價(jià)格搶奪客戶訂單。

2019年,晶圓代工市場(chǎng)市占率前三名分別為臺(tái)積電(TSMC)的 52.7%、三星(Samsung)的 17.8% 與格芯(GlobalFoundries)的8%,三星穩(wěn)坐晶圓代工老二之位。



2018年,三星晶圓代工事業(yè)部門的收入100億美元左右,而在2013年,僅有20億美元。目前,三星想要在3nm技術(shù)上再次實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先。從而超越臺(tái)積電。

在3nm節(jié)點(diǎn),三星將從FinFET晶體管轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝,其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管,官方稱之為3GAE工藝。根據(jù)官方所說(shuō),基于全新的GAA晶體管結(jié)構(gòu),三星通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管),該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術(shù)。



另外一方面,梁孟松的行為也讓臺(tái)積電惱羞成怒,其實(shí)早在梁孟松剛剛加入三星的時(shí)候,臺(tái)積電就擔(dān)心梁孟松會(huì)帶領(lǐng)三星實(shí)現(xiàn)飛速發(fā)展,2011年底,臺(tái)積電正式起訴梁孟松,指控其2009年離職,并從該年8月到三星集團(tuán)旗下的成均館大學(xué)任教以來(lái),“應(yīng)已陸續(xù)泄漏臺(tái)積電公司之營(yíng)業(yè)秘密予三星?!?/p>

“他去三星,就算不主動(dòng)泄漏臺(tái)積機(jī)密,只要三星選擇技術(shù)方向時(shí),梁孟松提醒一下,這個(gè)方向你們不用走了,他們就可以少花很多物力、時(shí)間,”臺(tái)積電法務(wù)長(zhǎng)方淑華說(shuō)。



而2014年,臺(tái)積電控告梁孟松侵犯營(yíng)業(yè)祕(mì)密的民事訴訟,在二審時(shí)演出逆轉(zhuǎn)勝。梁孟松被判決不能給三星提供服務(wù)。

而此后中芯國(guó)際向梁孟松拋來(lái)了橄欖枝,2017年,梁孟松接受了邀請(qǐng),梁孟松加入中芯國(guó)際被業(yè)界稱為“對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)具有劃時(shí)代的意義”,“中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入梁孟松時(shí)代”。

中芯國(guó)際此前在28nm低階Polysion良率達(dá)到85%,但在主流28納米HKMG方面:面向華為的產(chǎn)線良率達(dá)到了80%;但高通的產(chǎn)品良率為40%到60%。按照行業(yè)60%良率risk production,80%成熟的理論,在高通上的生產(chǎn)更是不如預(yù)期。換個(gè)角度看,14nm等先進(jìn)制程能否如期推進(jìn)這個(gè)是值得推敲的。zuo w


而梁孟松在加入了中芯國(guó)際之后,僅僅用了300天的時(shí)間,中芯國(guó)際直接從28nm跨越到14nm,14nm芯片的良品率也從3%提高到了95%。在2019年完成量產(chǎn),而12nm的工藝開發(fā)也取得突破。



作為幫助臺(tái)積電成為全球龍頭老大的功勛人物,又幫助三星成為了第二個(gè)臺(tái)積電,如今在梁孟松的帶領(lǐng)下,中芯國(guó)際會(huì)有什么樣的蛻變呢?讓我們拭目以待!

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