歡迎關(guān)注“創(chuàng)事記”微信訂閱號(hào)：sinachuangshiji
文/寧南山
來(lái)源：寧南山（ID:ningnanshan2017）
中國(guó)與美國(guó)貿(mào)易戰(zhàn)自2018年3月份爆發(fā)以來(lái)，已經(jīng)持續(xù)了20個(gè)月的時(shí)間，在之前的多篇文章里面，我們已經(jīng)提到了中國(guó)與美國(guó)的競(jìng)爭(zhēng)核心產(chǎn)業(yè)在信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)，這是人類以后很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)最賺錢的產(chǎn)業(yè)，而從底層的硬件，基礎(chǔ)軟件到應(yīng)用軟件，美國(guó)都占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，而在美國(guó)以外，只有中國(guó)能與之全面競(jìng)爭(zhēng)，其他國(guó)家和經(jīng)濟(jì)體只能在某個(gè)方面相對(duì)美國(guó)占據(jù)優(yōu)勢(shì)。
在這20個(gè)月的時(shí)間里面，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在危機(jī)意識(shí)的刺激下，加快了技術(shù)和工藝進(jìn)步的步伐。
本文關(guān)注下制造領(lǐng)域的進(jìn)展。
1：中芯國(guó)際和華虹的進(jìn)展快速
我們首先看下主力軍中芯國(guó)際的進(jìn)展情況，
中芯國(guó)際在2018年2月8日發(fā)布的2017年的全年財(cái)報(bào)，并沒(méi)有提到14nm技術(shù)的研發(fā)進(jìn)展情況，只是提到“我們成功上量28納米技術(shù)產(chǎn)品組合，在2017年四季度收入貢獻(xiàn)超過(guò)10%?！?/p>
“同時(shí)，我們繼續(xù)擴(kuò)展技術(shù)平臺(tái)，多樣化收入來(lái)源”，這里說(shuō)的技術(shù)平臺(tái)擴(kuò)展，是指在更多的行業(yè)獲取收入，并沒(méi)有提到通過(guò)先進(jìn)工藝技術(shù)進(jìn)擊來(lái)實(shí)現(xiàn)收入增長(zhǎng)。在幾個(gè)月之后公布的2018年的第一季度財(cái)報(bào)里面，中芯國(guó)際仍然沒(méi)有披露和提及其14nm制程的進(jìn)度情況，而該季度財(cái)報(bào)公布時(shí)刻，中國(guó)與美國(guó)貿(mào)易戰(zhàn)已經(jīng)爆發(fā)。
2018年8月9日，中芯國(guó)際發(fā)布了2018年上半年財(cái)報(bào)，里面關(guān)于技術(shù)進(jìn)展是這樣的：
我們欣喜地告訴大家，在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC，我們28納米HKC+技術(shù)開發(fā)也已完成。
而在2018年11月7日中芯國(guó)際公布的Q3財(cái)報(bào)里面，也并未描述14nm進(jìn)程情況，但是其提到“進(jìn)入第四季，雖然行業(yè)進(jìn)入季節(jié)性調(diào)整，但我們將持續(xù)進(jìn)行先進(jìn)工藝平臺(tái)的客戶導(dǎo)入與驗(yàn)證工作，為未來(lái)成長(zhǎng)儲(chǔ)備力量?！?/p>
以上說(shuō)明，14nm的客戶導(dǎo)入和驗(yàn)證至少?gòu)?018年8月之前就已經(jīng)開始，且到了2018年Q4客戶導(dǎo)入之后仍將繼續(xù)進(jìn)行。
到了2019年2月14日，中芯在發(fā)布2018年全年財(cái)報(bào)時(shí)，對(duì)先進(jìn)工藝制程的描述是這么說(shuō)的：
“梁孟松博士指出：“我們努力建立先進(jìn)工藝全方位的解決方案，特別專注在FinFET技術(shù)的基礎(chǔ)打造，平臺(tái)的開展，以及客戶關(guān)係的搭建。目前中芯國(guó)際第一代FinFET 14nm技術(shù)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，產(chǎn)品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。同時(shí)12nm的工藝開發(fā)也取得突破。透過(guò)研發(fā)積極創(chuàng)新，優(yōu)化產(chǎn)線，強(qiáng)化設(shè)計(jì)，爭(zhēng)取潛在市場(chǎng)，我們對(duì)於未來(lái)的機(jī)會(huì)深具信心。”
中芯此次明確的提到了14nm工藝的可靠性和良率在經(jīng)過(guò)半年的客戶導(dǎo)入之后得到了進(jìn)一步提升，同時(shí)首次提及12nm工藝開發(fā)取得技術(shù)突破。
時(shí)間到了2019年5月8日，中芯國(guó)際公布了今年的Q1財(cái)報(bào)，對(duì)技術(shù)進(jìn)展是這么說(shuō)的：
“中芯國(guó)際聯(lián)席首席執(zhí)行官，梁孟松博士說(shuō)：“FinFET研發(fā)進(jìn)展順利，12nm工藝開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，下一代FinFET研發(fā)在過(guò)去積累的基礎(chǔ)上進(jìn)度喜人。上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成，開始進(jìn)入產(chǎn)能布建。我們將為快速契合客戶的技術(shù)遷移做好準(zhǔn)備，以面對(duì)日新月異的行業(yè)環(huán)境?！?/p>
在這次的財(cái)報(bào)里面，中芯首度提到12nm工藝開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，我們可以看下時(shí)間軸，14nm的客戶導(dǎo)入是在2018年Q2左右，
在2018年Q4可靠性和良率得到了提升，
在2019年Q1完成了在上海的工廠建造，開始進(jìn)入產(chǎn)能布建。
而更為先進(jìn)的12nm工藝技術(shù)在2018年Q4取得重大突破
在2019年的Q1開始客戶導(dǎo)入。
不僅如此，中芯國(guó)際還首次提到了下一代FinFET研發(fā)進(jìn)度喜人，但并未解釋下一代FinFET是多少納米，應(yīng)該也是14nm和12nm。
2019年8月8日，中芯國(guó)際發(fā)布了2019年上半年財(cái)報(bào)，
對(duì)于技術(shù)進(jìn)展是這么描述的：
“FinFET工藝研發(fā)持續(xù)加速，14nm進(jìn)入客戶風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，預(yù)期在今年底貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收。第二代FinFETN+1技術(shù)平臺(tái)已開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入”
已經(jīng)明確的提到了14nm已經(jīng)開始進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，到2019年Q4將會(huì)開始貢獻(xiàn)營(yíng)收。
同時(shí)提到了第二代FinFET N+1技術(shù)平臺(tái)已經(jīng)開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入，和Q1財(cái)報(bào)的“下一代FinFET研發(fā)進(jìn)度喜人”相互呼應(yīng)。但同樣未解釋具體用于多少nm。
2019年11月12日，中芯國(guó)際發(fā)布的2019年Q3的財(cái)報(bào)，對(duì)于技術(shù)進(jìn)展再次確認(rèn)：
“FinFET技術(shù)研發(fā)不斷向前推進(jìn)：第一代FinFET已成功量產(chǎn)，四季度將貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收；第二代FinFET研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利?！?/p>
實(shí)際上從過(guò)去一年多中芯公布的季度報(bào)告來(lái)看，其14nm的客戶導(dǎo)入，驗(yàn)證，工廠完工，可靠性和良率提升，以及到目前的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，整個(gè)進(jìn)展是完整的，也是非常神速的。
2019年Q4開始貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收問(wèn)題不大，實(shí)際上我們也可以說(shuō)，中芯國(guó)際的14nm現(xiàn)在就已經(jīng)量產(chǎn)了。
中芯國(guó)際現(xiàn)階段盈利并不太好，我們可以看看臺(tái)灣媒體2019年9月對(duì)中芯國(guó)際的報(bào)道，他們依然執(zhí)著的把梁孟松稱之為叛將，把中芯國(guó)際的盈利和聯(lián)電以及臺(tái)積電對(duì)比了一番，結(jié)果自然中芯國(guó)際慘輸。
Q3單季度，中芯國(guó)際擺脫了上半年虧損的局面，實(shí)現(xiàn)了盈利，凈利潤(rùn)8462.6萬(wàn)美元，相比去年同期的759.1萬(wàn)美元大漲了1014%。
不過(guò)現(xiàn)階段，中芯國(guó)際對(duì)于中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的意義顯然不是賺錢，而是支撐產(chǎn)業(yè)鏈自主化，不只是支撐國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)可以在國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)閉環(huán)生產(chǎn)，減少被可能的制裁打擊的損失，同時(shí)也為上游的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備廠家提供市場(chǎng)。
2019年5月24日，中芯國(guó)際向紐約證交所申請(qǐng)將美國(guó)存托股（ADS）退市，最后交易日為6月13日，理由為：
1、與全球交易量相比，中芯國(guó)際ADS交易量相對(duì)有限；
2、維持ADS在紐約證券交易所上市及在美國(guó)證券交易委員會(huì)注冊(cè)并遵守交易法的定期報(bào)告和相關(guān)義務(wù)中所帶來(lái)較重的行政負(fù)擔(dān)和較高的成本等。
很多人都把這件事聯(lián)想到了華為被禁，不過(guò)這個(gè)不一定要做太多的聯(lián)想，因?yàn)槟壳盀橹梗?019年11月）中芯國(guó)際的美國(guó)ADR（存托憑證）依然還在，并且華為事件是發(fā)生在5月16日，中芯國(guó)際也很難在短短8天內(nèi)就完成遞交申請(qǐng)動(dòng)作。
在2019年Q4,中芯國(guó)際的14nm貢獻(xiàn)有意義的營(yíng)收，以及12nm繼續(xù)客戶導(dǎo)入之后，下一步的長(zhǎng)期計(jì)劃是10nm和7nm制造工藝，而預(yù)計(jì)后者需使用極紫外光刻機(jī)，新聞報(bào)道中芯國(guó)際去年以1.2億美元從ASML訂購(gòu)EUV光刻機(jī)，
注意這個(gè)1.2億美元只是新聞報(bào)道，實(shí)際的合同價(jià)格其實(shí)中芯國(guó)際并沒(méi)有披露，1.2億美元的數(shù)字只是讓我們了解光刻機(jī)的價(jià)格的量級(jí)。
EUV光刻機(jī)計(jì)劃是將于2019年交付，但因?yàn)锳SML的火災(zāi)事件受到影響，到目前也還沒(méi)有交付，預(yù)計(jì)要拖到2020年了。
還是那句話，中芯國(guó)際10年甚至更長(zhǎng)時(shí)間也不要想在營(yíng)收規(guī)模和盈利上超越臺(tái)積電，存在的意義是把技術(shù)自主化推進(jìn)下去，形成和保持大規(guī)模的半導(dǎo)體制造工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)。
除了中芯國(guó)際以外，國(guó)內(nèi)第二大的半導(dǎo)體代工廠，華虹集團(tuán)旗下的華力微電子先進(jìn)工藝也進(jìn)展較為順利，2018年華力微電子首次實(shí)現(xiàn)28nm低功耗工藝量產(chǎn)，客戶為臺(tái)灣的聯(lián)發(fā)科的無(wú)線通信數(shù)據(jù)處理芯片。
2019年3月21日舉行的SEMICONChina 2019先進(jìn)制造論壇上，上海微電子華力微電子研發(fā)副總裁邵華發(fā)表了主題演講，介紹了華力微電子半導(dǎo)體制造的新進(jìn)展，
2019年底華力微電子將量產(chǎn)28nm HKC+工藝，
明年（2020年）底則會(huì)量產(chǎn)14nm FinFET工藝。
這個(gè)進(jìn)度比中芯國(guó)際慢一年半左右，以28nm HKC+工藝為例，中芯國(guó)際是在2018年H1財(cái)報(bào)里面宣布掌握了該工藝，而華力微電子則在2019年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
14nm工藝中芯國(guó)際是在2019年上半年開始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，而華力微電子則計(jì)劃是在2020年底。
這證明先進(jìn)技術(shù)工藝正在中國(guó)大陸不斷發(fā)展和擴(kuò)散。
當(dāng)然了，先進(jìn)工藝真正的大規(guī)模導(dǎo)入并沒(méi)有那么快，以華力微為例，
其2019年Q3單季度，華力微0.35um及以上工藝營(yíng)收仍是公司營(yíng)收主力，占比49．70％。
其130nm及以下工藝營(yíng)收占比僅為33．9％。
再看中芯國(guó)際，
其2019年Q3單季度收入占比最高的工藝是150/180nm (35.8％)、
其次是55/65nm (29.3％)、40/45nm (18.5％)、110/130nm (6.6％)、250/350nm (4.2％)、28nm (4.3％)、90nm (1.3％)，
2019年第三季度中芯國(guó)際量產(chǎn)最先進(jìn)的28nm工藝占比只有4.3%。
我們知道中芯國(guó)際的28nm工藝量產(chǎn)是在2015年Q3，當(dāng)時(shí)單季度占比是0.1%,如下圖；
從2015年Q3到2019年Q3,中芯國(guó)際用了4年的時(shí)間才把28nm工藝的營(yíng)收占比從0.1%提升到了4.3%，速度非常緩慢。
我們對(duì)比下行業(yè)龍頭臺(tái)積電，其2011年Q4開始量產(chǎn)28nm工藝，到了2013年Q2其28nm僅僅用了大約一年半的時(shí)間，工藝營(yíng)收占比就超過(guò)了臺(tái)積電的20%。
這是為什么呢，這是贏家通吃和追趕者的宿命。
先進(jìn)芯片制造工藝帶來(lái)的研發(fā)和產(chǎn)線投資成本非常高，誰(shuí)最先突破誰(shuí)就可以利用其市面上唯一先進(jìn)工藝供應(yīng)商的優(yōu)勢(shì)快速大規(guī)模出貨，不僅可以以高價(jià)格出售先進(jìn)工藝晶圓，同時(shí)也可以率先對(duì)產(chǎn)線進(jìn)行折舊，當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手也突破該制程工藝時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)掌握更先進(jìn)的制程了，那么就可以通過(guò)把成熟制程降價(jià)進(jìn)行價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)迫使對(duì)方陷入價(jià)格戰(zhàn)，降低對(duì)方新工藝突破帶來(lái)的利潤(rùn)。
芯片制造的資本支出都高的驚人，2019年10月17日，臺(tái)積電的法說(shuō)會(huì)上，宣布其2019年的全年資本支出預(yù)計(jì)將達(dá)到140-150億美元，比上年增加40億美元。
而這增加的40億美元里面，15億美元是用于7nm產(chǎn)能，25億美元是用于5nm產(chǎn)能
我們要知道，僅僅這增加的用于7nm和5nm的40億美元投資，就已經(jīng)超過(guò)中芯國(guó)際2018年全年的營(yíng)收了。
所以全球代工廠能夠進(jìn)入10nm以下制程的，目前只有臺(tái)積電和三星了，其他的玩家例如臺(tái)聯(lián)電和GF都已經(jīng)放棄了7nm先進(jìn)工藝的研發(fā)，投資太大，而客戶又越來(lái)越少，投資風(fēng)險(xiǎn)太高無(wú)法收回成本。
目前看第三家和第四家進(jìn)入10nm以下制程的只有英特爾和中芯國(guó)際有可能性。
競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手率先突破先進(jìn)工藝并且實(shí)現(xiàn)折舊，對(duì)中芯國(guó)際帶來(lái)的壓力巨大。
用中芯國(guó)際的聯(lián)席CEO趙海軍博士，在大約兩年前2017年Q4的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上的話來(lái)說(shuō)就是：“競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的28nm已經(jīng)是成熟制程，可以憑借折舊周期以及良率優(yōu)勢(shì)進(jìn)行高強(qiáng)度的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。目前28nm產(chǎn)品的價(jià)格對(duì)中芯國(guó)際的壓力非常大，導(dǎo)致這部分產(chǎn)品的產(chǎn)能爬坡過(guò)程給總體毛利率帶來(lái)很大挑戰(zhàn)，公司目前對(duì)于28nm的擴(kuò)產(chǎn)事宜采取謹(jǐn)慎態(tài)度。”
實(shí)際上中芯國(guó)際對(duì)于28nm的態(tài)度到2019年Q4的也沒(méi)有改變，那就是謹(jǐn)慎的對(duì)待28nm大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，把資金集中在攻克14nm/12nm FinFET工藝以及下一代FinFET N+1工藝的研發(fā)上。
另外中芯國(guó)際2019年底量產(chǎn)14nm，那么什么時(shí)候能夠?qū)崿F(xiàn)占比大規(guī)模上升呢？
這取決于中芯國(guó)際自身的技術(shù)進(jìn)步和競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。
臺(tái)積電2014年Q3開始量產(chǎn)16nm工藝，2015年Q3營(yíng)收占比就已經(jīng)達(dá)到了20%，
到現(xiàn)在四五年的時(shí)間臺(tái)積電的16nm產(chǎn)線折舊還沒(méi)有完全完成，以臺(tái)積電投資30億美元建設(shè)的南京工廠為例，2018年底才開始量產(chǎn)，因此中芯還有追趕時(shí)間，必須爭(zhēng)分奪秒完成14nm和12nm的良率和可靠水平提升。
當(dāng)然，中芯國(guó)際目前的環(huán)境比起以前有了很大的改善，
一個(gè)是梁孟松博士2017年加盟中芯之后，很大的加速了中芯的技術(shù)進(jìn)步，2018年28nm HKC+工藝開發(fā)完成，意味著中芯國(guó)際已經(jīng)基本掌握了28nm技術(shù)，完成了從28nm中較為低端的PolySion，到28nm HKC，再到28nm HKC+的三級(jí)跳進(jìn)步，從2019年開始中芯的28nm進(jìn)入較為成熟制程階段。另外中芯14nm和12nm的進(jìn)度也很喜人。
一個(gè)是目前國(guó)內(nèi)客戶迫于技術(shù)制裁的外部壓力，開始加大和中芯國(guó)際的合作力度，從中芯國(guó)際來(lái)自國(guó)內(nèi)客戶的營(yíng)收規(guī)模和占比都在不斷上升就可以看出，這可以在一定程度上抵消來(lái)自業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的成本競(jìng)爭(zhēng)壓力。
華為是在5月份被美國(guó)宣布禁令的，此舉一定對(duì)中國(guó)國(guó)產(chǎn)芯片設(shè)計(jì)廠家產(chǎn)生了巨大的影響，中芯國(guó)際Q3單季度凈利潤(rùn)8462.6萬(wàn)美元，相比去年同期的759.1萬(wàn)美元大漲了1014%，并且該季度來(lái)自中國(guó)本土的營(yíng)收比例上升到了60.5%，相信華為事件刺激國(guó)產(chǎn)芯片制造本土化因素對(duì)此是有貢獻(xiàn)的。
按照中芯國(guó)際的28nm從2015年到2018年用了三年的時(shí)間技術(shù)上逐漸成熟，即使我們考慮以上的樂(lè)觀因素，那么中芯國(guó)際的14nm的營(yíng)收占比穩(wěn)定達(dá)到一定比例（10%）至少也要2021年甚至2022年以后了，這和臺(tái)積電的差距依然是巨大的，畢竟臺(tái)積電2015年Q3 16nm制程的營(yíng)收占比就超過(guò)了20%。
在這里我想提一下薪資問(wèn)題，
我們也知道中芯國(guó)際面臨低毛利率的壓力，2019年Q3的財(cái)報(bào)，中芯國(guó)際的毛利率僅為20.8%，這使得提供高薪資暫時(shí)比較困難。
以梁孟松為例，他在2009年離開臺(tái)積電，而之后因?yàn)槿温毴堑脑虮慌_(tái)積電告上法庭，而根據(jù)臺(tái)灣《天下》雜志拿到的文件，根據(jù)臺(tái)積電的披露，梁孟松在臺(tái)積電的17年期間，薪資暨股票及現(xiàn)金紅利，合計(jì)高達(dá)6億2693萬(wàn)臺(tái)幣（按照2019年11月的匯率約合1.38億人民幣）。平均年所得超過(guò)3600萬(wàn)臺(tái)幣（按照2019年11月的匯率約合810萬(wàn)人民幣），高過(guò)臺(tái)灣絕大多數(shù)企業(yè)總經(jīng)理。
而根據(jù)中芯國(guó)際的執(zhí)行副總裁李智2017年接受臺(tái)媒digitimes采訪時(shí)的透露，中芯國(guó)際給梁博士的年薪為稅后20萬(wàn)美金左右，另外還會(huì)給期權(quán)激勵(lì)，
當(dāng)然梁博士2019年的薪資變成多少了，我們暫時(shí)不得而知，應(yīng)該會(huì)有增加，另外這兩年中芯國(guó)際的港股也漲了不少，相信有所收獲。
但無(wú)論如何，對(duì)梁博士這種高端人才，其入職時(shí)的薪水顯然不足以體現(xiàn)他的身價(jià)。
另一方面，中芯國(guó)際在應(yīng)屆生們的心目中，校招薪資競(jìng)爭(zhēng)力是不高的，且入職后每年薪資漲幅也不盡如人意，導(dǎo)致新人成長(zhǎng)起來(lái)之后離職比較普遍，這是不利于本土高端人才的培養(yǎng)和成長(zhǎng)的。
除此之外，就是依靠加班提高收入，
對(duì)制造型企業(yè)而言，由于基本薪資對(duì)于名校畢業(yè)生缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，
那么入職中芯的工藝工程師通過(guò)加班掙加班費(fèi)成為提高總體收入的選擇，
一個(gè)月如果加班24個(gè)小時(shí)，那么1.5倍加班費(fèi)相當(dāng)于工作36個(gè)小時(shí)，差不多是20%的基本薪資了。除了加班以外，還存在白班和夜班的問(wèn)題，負(fù)責(zé)生產(chǎn)制造的工程師都需要倒班，也就是上白班和上夜班循環(huán)進(jìn)行，當(dāng)然倒班會(huì)有補(bǔ)貼。
加班加上倒班，是非常辛苦的，那么更需要薪酬有競(jìng)爭(zhēng)力。
優(yōu)秀學(xué)生往往來(lái)自名校，也是同齡人的佼佼者，
實(shí)事求是的說(shuō)，優(yōu)秀人才在心理上往往具有在工作和生活上都要?jiǎng)龠^(guò)其他人的強(qiáng)烈好勝心，
中芯國(guó)際的崗位又主要是在北京，上海，深圳這樣的一線城市，
薪資競(jìng)爭(zhēng)力不夠，會(huì)讓優(yōu)秀人才面臨不僅長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行強(qiáng)度較高的工作，
橫向?qū)Ρ壬闲劫Y水平低于其生活圈子平均水平，心理上會(huì)有巨大落差，
另一方面也難以應(yīng)對(duì)一線城市的生存壓力。
中芯國(guó)際多少也意識(shí)到了這個(gè)問(wèn)題，這幾年校招薪水也在往上漲，僅就碩士校招的批發(fā)價(jià)薪資而言，2019年比2016年上漲了大約25%以上，看起來(lái)是不錯(cuò)的漲幅，但是仍然不夠，對(duì)國(guó)內(nèi)優(yōu)秀人才而言，還很難說(shuō)有很大吸引力。
當(dāng)然了，我國(guó)制造業(yè)企業(yè)一般都會(huì)包吃住，像中芯國(guó)際不管是上海工廠還是深圳工廠都提供宿舍，以上海為例，雙人間月租僅800元，這個(gè)優(yōu)秀傳統(tǒng)要繼續(xù)保持下去。
我每年都在跟蹤搜集國(guó)內(nèi)一線制造業(yè)企業(yè)的薪資水平，
我認(rèn)為如果考慮加班費(fèi)和吃住福利也都折算成待遇，
中芯國(guó)際這樣地處一線城市的高端制造業(yè)給碩士應(yīng)屆生的薪資應(yīng)該爭(zhēng)取達(dá)到25萬(wàn)-30萬(wàn)人民幣以上才會(huì)有比較好的競(jìng)爭(zhēng)力，這并不是我空想出來(lái)的數(shù)字，
2019年秋招的2020屆應(yīng)屆生碩士，
包括海思，寒武紀(jì)，平頭哥，比特大陸等一線芯片設(shè)計(jì)公司的薪資批發(fā)價(jià)已經(jīng)普遍達(dá)到了30萬(wàn)人民幣的水平。
實(shí)際上，在制造業(yè)里面，一些行業(yè)會(huì)有這樣的公司出現(xiàn)，那就是雖然技術(shù)能力或者綜合實(shí)力比不上一線大公司，但是卻愿意以高薪和行業(yè)頂級(jí)公司搶奪優(yōu)秀人才。
例如芯片設(shè)計(jì)行業(yè)的格科微，消費(fèi)電子行業(yè)的TP-LINK，在同行業(yè)都算不上頂尖公司，但是2019年校招中卻能給名校優(yōu)秀碩士畢業(yè)生開出30萬(wàn)人民幣以上的批發(fā)價(jià)年薪。
值得一提的是，不管是TP還是格科微，其給出高薪的口號(hào)都是和華為搶人才，可見行業(yè)龍頭企業(yè)給高薪帶來(lái)的示范效應(yīng)。
事實(shí)上，給少數(shù)優(yōu)秀人才高薪，其實(shí)成本上升并沒(méi)有那么大，例如每年發(fā)放150個(gè)年薪25-30萬(wàn)人民幣的碩士應(yīng)屆畢業(yè)生的SP，把這150人作為技術(shù)后備核心培養(yǎng)。每年其實(shí)也就是多出一兩千萬(wàn)人民幣的成本，注意是碩士，如果是博士，那么應(yīng)該還要更高。
而中芯國(guó)際本身，每年各種設(shè)備折舊和攤銷費(fèi)用都在幾十個(gè)億人民幣。
當(dāng)然中芯國(guó)際也已經(jīng)在搞了，就是技術(shù)培訓(xùn)生，不過(guò)一般是博士，其薪資水平高出一般值，不過(guò)我認(rèn)為還是認(rèn)為薪資競(jìng)爭(zhēng)力還需要提升。
敢不敢于用高薪去搶人才，其實(shí)很大程度也是觀念問(wèn)題，
重視設(shè)備超過(guò)重視人才的想法在我國(guó)制造業(yè)普遍存在，
花大價(jià)錢購(gòu)買先進(jìn)設(shè)備的時(shí)候毫不手軟，都要買最好的，
但是對(duì)于人才，尤其是剛畢業(yè)的優(yōu)秀應(yīng)屆生卻重視程度不夠，意識(shí)不到優(yōu)秀人才和企業(yè)是互相成就的，優(yōu)秀人才創(chuàng)造的價(jià)值上限也會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于設(shè)備的花銷。
在觀念改變上，行業(yè)龍頭企業(yè)應(yīng)該擔(dān)負(fù)起責(zé)任，因?yàn)辇堫^企業(yè)的薪資水平往往會(huì)極大影響行業(yè)薪資水平的高低，華為海思在2018年的率先大規(guī)模漲薪，就帶動(dòng)了整個(gè)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)薪資水平上漲，短期內(nèi)可能不少企業(yè)會(huì)因此感到成本上升的痛苦，但是長(zhǎng)期看卻是有利于整個(gè)行業(yè)包括公司自己的長(zhǎng)期發(fā)展的。
如同本文前述，技術(shù)進(jìn)步的速度某種意義上決定著中芯國(guó)際的未來(lái)的命運(yùn)，
那么更要重視培養(yǎng)人才的重要性，我國(guó)芯片制造行業(yè)，在給予優(yōu)秀人才的薪資定價(jià)時(shí)，絕不能只考慮本行業(yè)的薪資情況，而是要敢于在更大的范圍內(nèi)，和其他行業(yè)的優(yōu)秀制造業(yè)企業(yè)去競(jìng)爭(zhēng)頂尖工科人才。
別的不說(shuō)，與中芯國(guó)際總部同在上海的華力微，其平均每年加上獎(jiǎng)金能有大約18個(gè)月工資，我算過(guò)其2019年秋招碩士應(yīng)屆生的基本薪資+獎(jiǎng)金，另外還有加班費(fèi)，夜班費(fèi)，住宿和餐補(bǔ)福利進(jìn)行折算，一年也有20萬(wàn)+人民幣了，事實(shí)上已經(jīng)接近綜合年入25萬(wàn)-30萬(wàn)這個(gè)比較有競(jìng)爭(zhēng)力的應(yīng)屆碩士薪資水平區(qū)間。
2：中國(guó)國(guó)產(chǎn)256Gb 64層NAND閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)
可能很多人都沒(méi)有注意到，我國(guó)國(guó)產(chǎn)的NAND FLASH閃存已經(jīng)開始規(guī)?；慨a(chǎn)，而且是完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)在2019年9月2日刊登的消息，
在中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求，這是中國(guó)首款64層3D NAND閃存
所謂256Gb TLC閃存，指的是每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存晶圓長(zhǎng)的是下面這個(gè)樣子：
長(zhǎng)江存儲(chǔ)認(rèn)為，其64層3D NAND閃存的亮點(diǎn)是：
1）：是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，這個(gè)架構(gòu)的特點(diǎn)是可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來(lái)更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
2）：擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度（同代產(chǎn)品特指截止目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND閃存）
作為集成器件制造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備制造商的需求。
下圖是長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心廠區(qū)近況（來(lái)自2019年9月2日的報(bào)道）
長(zhǎng)江存儲(chǔ)的量產(chǎn)時(shí)間剛好趕在了三星，海力士和美光等大廠新技術(shù)擴(kuò)產(chǎn)減緩的時(shí)間段。
存儲(chǔ)器是資本密集型產(chǎn)業(yè)，其價(jià)格具有周期性
由于產(chǎn)能增加和市場(chǎng)需求低迷，2018年從1月份開始，全球NAND 閃存價(jià)格在持續(xù)下降，到了2018年12月，其價(jià)格比起年初竟然下跌了大約70%
受此影響，各個(gè)閃存大廠例如三星，海力士，美光等的營(yíng)業(yè)收入和利潤(rùn)在2018年Q3達(dá)到了峰值候，從2018年Q4開始環(huán)比就出現(xiàn)了下降。
到了2019年NAND 閃存的價(jià)格依然在繼續(xù)下降，以三星為例，其半導(dǎo)體事業(yè)部（包括存儲(chǔ)和顯示面板）2019年前三季度營(yíng)收下降了29%，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)更是下降了71%。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層NAND閃存在業(yè)界是什么水平？仍然落后量產(chǎn)的最先進(jìn)技術(shù)，但是已經(jīng)趕上了市場(chǎng)生產(chǎn)和銷售的主流。
從2018年7月起，三星開始量產(chǎn)96層NAND閃存
英特爾在2018年9月大連工廠二期投產(chǎn)96層閃存，
海力士在2018年11月也宣布96層NAND閃存量產(chǎn)
西部數(shù)據(jù)和東芝也都在2018年下半年實(shí)現(xiàn)了96層的量產(chǎn)。
由于NAND閃存的市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下跌，進(jìn)入2019年后依然處于下降態(tài)勢(shì)，
今年以來(lái)市場(chǎng)上主流的64層/72層閃存庫(kù)存高企，導(dǎo)致所有大廠都放緩了96層閃存的擴(kuò)產(chǎn)速度，因?yàn)橐坏└呒夹g(shù)的產(chǎn)品大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，意味著將進(jìn)一步擠壓現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)品的價(jià)格下探。
以美光2019年9月底發(fā)布的財(cái)報(bào)為例，其6-8月的財(cái)季NAND閃存價(jià)格又比上個(gè)季度下降了不到10%，當(dāng)然降幅有所收窄，2019年以來(lái)比起年初累計(jì)下降了40%，
以三星為例，由于存儲(chǔ)器的價(jià)格大跌，2019年前三季度三星的資本支出同比下降了24%，
各個(gè)大廠96層閃存的擴(kuò)產(chǎn)速度很大減緩，導(dǎo)致目前市面上仍然是64層/72層NAND閃存為主，這給長(zhǎng)江存儲(chǔ)帶來(lái)了機(jī)遇。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2018年Q4，也就是去年底成功的量產(chǎn)了32層NAND閃存，相對(duì)于業(yè)界主流都已經(jīng)在開始量產(chǎn)96層，顯然差距很大，因此長(zhǎng)江存儲(chǔ)也只是對(duì)32層進(jìn)行了試產(chǎn)，深圳的江波龍公司是國(guó)內(nèi)最大的存儲(chǔ)終端產(chǎn)品供應(yīng)商之一，其8Gb U盤就使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層的存儲(chǔ)顆粒。
在一年之后的2019年9月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布成功量產(chǎn)了64層閃存，暫時(shí)趕上了主流產(chǎn)品的末段班車，
預(yù)計(jì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)利用市場(chǎng)低迷，主流大廠96層閃存擴(kuò)產(chǎn)緩慢的機(jī)遇，以較大的規(guī)模量產(chǎn)64層閃存，我查詢了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的資本支出，
今年4月，武漢市發(fā)改委表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地加速建設(shè)，完成投資10.3億元。
而在2019年10月21日，湖北省政府新聞辦召開2019年前三季度湖北經(jīng)濟(jì)運(yùn)行情況新聞發(fā)布會(huì)，提到了長(zhǎng)江存儲(chǔ)前9個(gè)月完成投資118億元，比起4月份公布的數(shù)字很大增加。
目前已經(jīng)有新聞報(bào)道，說(shuō)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2020年底把產(chǎn)能提高到6萬(wàn)片每月，不過(guò)該數(shù)字沒(méi)有得到長(zhǎng)江存儲(chǔ)的確認(rèn)。
另一方面風(fēng)險(xiǎn)依然存在，由于各家大廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，市場(chǎng)供求態(tài)勢(shì)逐漸變化，各大供應(yīng)商開始預(yù)期NAND閃存價(jià)格逐漸回升，
以市場(chǎng)領(lǐng)頭羊三星作為指標(biāo)，
三星在2019年第三季度的財(cái)報(bào)里面表現(xiàn)出了對(duì)未來(lái)的樂(lè)觀態(tài)度，其決定在2019年Q4大幅度增加資本支出，計(jì)劃單季度投資105億美元，這個(gè)增加的幅度之大，以至于在前三季度資本支出大跌24%的情況下，全年資本總支出會(huì)和2018年持平。
注意，三星電子的資本支出中半導(dǎo)體是最大的部分，以2019年前三季度為例，總計(jì)16.8萬(wàn)億韓元的資本支出中，半導(dǎo)體資本支出占了14萬(wàn)億韓元，占比超過(guò)83%，剩余為顯示器和其他。
原因?yàn)?019年第三季度存儲(chǔ)器市場(chǎng)開始回暖，該季度三星的DS業(yè)務(wù)（包括存儲(chǔ)器和顯示面板）營(yíng)收竟然增長(zhǎng)了9.2%，而前三季度累計(jì)則是下跌29%。
Q3單季度DS業(yè)務(wù)的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)僅僅下降了1.7%,而前三季度則下降了71%。
市場(chǎng)的快速變化，也會(huì)極大的影響長(zhǎng)江存儲(chǔ)的后續(xù)對(duì)64層的擴(kuò)產(chǎn)選擇，畢竟新技術(shù)的量產(chǎn)和擴(kuò)產(chǎn)意味著老技術(shù)的價(jià)格下降和逐步淘汰。
因此長(zhǎng)江存儲(chǔ)面臨著和中芯國(guó)際類似的追趕者宿命，盡管市場(chǎng)傳言長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)跳過(guò)96層閃存，在2020年量產(chǎn)128層NAND閃存，一舉趕上業(yè)界主流水平，但是此消息并未得到官方正式確認(rèn)時(shí)間表。全球首家宣布量產(chǎn)128層閃存的是海力士，其在2019年6月份宣布在2019年下半年量產(chǎn)。
總體來(lái)說(shuō)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)追趕速度比中芯國(guó)際趕超之路要快。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2019年秋招中也表現(xiàn)的可以，其給應(yīng)屆碩士開出的薪資比去年漲了不少，
普遍在15-20萬(wàn)人民幣之間，這在武漢已經(jīng)是不錯(cuò)的薪資了。
相信隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)的營(yíng)收逐漸增加，其給工程師和工人加薪的空間也會(huì)越來(lái)越廣闊。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2019年Q4實(shí)現(xiàn)的64層256Gb NAND閃存的量產(chǎn)，如果先不考慮其產(chǎn)能的話，意味著中國(guó)消費(fèi)電子品牌被韓國(guó)公司大肆收割巨額利潤(rùn)的時(shí)代在開始逐漸過(guò)去了。
如果長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2020年能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)128層，盡管技術(shù)上仍然還有差距，但是已經(jīng)追上了主流水平，這將是歷史性的突破，如果產(chǎn)能和良率能夠及時(shí)跟上，那么中國(guó)公司和消費(fèi)者在2016-2017年被韓系廠家收割百億美元級(jí)別的凈利潤(rùn)的時(shí)代將逐漸成為歷史。
盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)盈利還早，但是其已經(jīng)開始體現(xiàn)出了其歷史價(jià)值和意義。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)的代行董事長(zhǎng)高啟全在2018年底接受記者采訪時(shí)表示，NAND閃存2023年全球市占率20%是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的目標(biāo)，同時(shí)在2023年良率也要趕上世界水準(zhǔn)，這樣不管是虧損還是盈利大家都是一樣，要虧一起虧，要賺一起賺，這樣就可以避免被市場(chǎng)掃地出門，我們拭目以待。
3：合肥長(zhǎng)鑫已經(jīng)量產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器
做DRAM比做NAND閃存還要難，閃存全球還有六家公司占據(jù)主要份額（三星，東芝，美光，海力士，英特爾，西部數(shù)據(jù)），而DRAM全球主要就是三家：（三星，海力士，美光）。
2017年4月份長(zhǎng)江存儲(chǔ)代行董事長(zhǎng)高啟全曾經(jīng)解釋了紫光集團(tuán)優(yōu)先做NAND閃存的原因，他提到，傳統(tǒng)2D轉(zhuǎn)3D NAND技術(shù)后，半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備幾乎都要換新，所以這時(shí)候投入是對(duì)的，每一個(gè)存儲(chǔ)器公司都站在同一個(gè)出發(fā)點(diǎn)。
而DRAM技術(shù)，每轉(zhuǎn)進(jìn)新一代制程技術(shù)僅增加20%的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備，既存的半導(dǎo)體大廠的多數(shù)機(jī)臺(tái)設(shè)備都已經(jīng)折舊光了，新加入DRAM技術(shù)的人去買新設(shè)備來(lái)生產(chǎn)，成本非常貴，會(huì)沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)力可言，因此長(zhǎng)江存儲(chǔ)優(yōu)先將資源放在3D NAND，而非DRAM技術(shù)上。
另外從技術(shù)上來(lái)講，相對(duì)于DRAM技術(shù)，國(guó)內(nèi)在NAND閃存技術(shù)上的積累也相對(duì)更為樂(lè)觀。因?yàn)橄冗M(jìn)技術(shù)的發(fā)展，專利是一個(gè)不可避免的問(wèn)題，先發(fā)廠家會(huì)利用專利作為武器對(duì)后發(fā)廠家進(jìn)行打擊。2018年底高啟全在接受中國(guó)證券報(bào)記者采訪時(shí)，記者問(wèn)到了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的自主研發(fā)技術(shù)儲(chǔ)備實(shí)力，高啟全回答，
“剛開始，我們獲得了一些專利授權(quán)，在此基礎(chǔ)上研發(fā)了32層3D NAND，但到64層，就是完全自主獨(dú)立開發(fā)。目前的研發(fā)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在硅谷有一個(gè)、上海有一個(gè)，有國(guó)外的人才力量，也有中科院同仁加入我們。工藝方面的團(tuán)隊(duì)主要來(lái)自武漢新芯。中科院研發(fā)團(tuán)隊(duì)有1000多個(gè)專利，同時(shí)長(zhǎng)江儲(chǔ)存在過(guò)去幾年也申請(qǐng)了500多項(xiàng)專利。專利不在于數(shù)量，在于好不好用，有些人有一、兩萬(wàn)個(gè)專利但沒(méi)有一個(gè)好用，人家想來(lái)攻擊你的時(shí)候還是能攻擊你。”
這一段意思很清楚，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層NAND閃存技術(shù)是來(lái)自專利授權(quán)基礎(chǔ)上進(jìn)行研發(fā)，而64層則完全是自主技術(shù)，參見上面長(zhǎng)江存儲(chǔ)高管在不同公開場(chǎng)合宣傳的Xtacking?架構(gòu)，而且著重提到，研發(fā)有中科院的同仁加入，同時(shí)中科院研發(fā)團(tuán)隊(duì)有1000多個(gè)專利。
實(shí)際上我們?cè)谥锌圃旱墓倬W(wǎng)上也可以看到其研發(fā)人員參與長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的報(bào)道。
而相比NAND閃存敢于自信的說(shuō)完全自主研發(fā)而言，我國(guó)在DRAM上面的積累就相對(duì)比較弱了，因此主要采取“高鐵模式”，即通過(guò)全套引進(jìn)國(guó)外先進(jìn)技術(shù)，并在其基礎(chǔ)上持續(xù)創(chuàng)新和發(fā)展。
2019年5月15日，在全球半導(dǎo)體聯(lián)盟（GSA）與上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)共同舉辦的存儲(chǔ)峰會(huì)上，DRAM生產(chǎn)商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼CEO朱一明發(fā)表了《中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，介紹自身的建設(shè)經(jīng)歷和知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系，其提到“DRAM產(chǎn)業(yè)在全球發(fā)展了幾十年，制程技術(shù)持續(xù)進(jìn)步，在架構(gòu)、制程、設(shè)計(jì)、接口、測(cè)試、系統(tǒng)等方面存在很多專利，且絕大部分控制在三星、海力士和美光手中。新進(jìn)者是否擁有合規(guī)的技術(shù)來(lái)源以及自主創(chuàng)新能力成為立足發(fā)展的關(guān)鍵?！?/p>
其同時(shí)明確的提到技術(shù)來(lái)源，合肥長(zhǎng)鑫與奇夢(mèng)達(dá)合作，將一千多萬(wàn)份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件（約2.8TB數(shù)據(jù)）收歸到自己手中，當(dāng)然后續(xù)的技術(shù)演進(jìn)是基于結(jié)合了長(zhǎng)鑫自己的技術(shù)。
奇夢(mèng)達(dá)是一家德國(guó)公司，是從英飛凌拆分出來(lái)的知名DRAM大廠，但在2009年1月，奇夢(mèng)達(dá)向法院申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。
值得一提的是，奇夢(mèng)達(dá)全球有兩家比較大的研發(fā)中心，慕尼黑研發(fā)中心和中國(guó)研發(fā)中心（位于西安），2009年奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)后，其西安的研發(fā)中心的研發(fā)團(tuán)隊(duì)被浪潮集團(tuán)收購(gòu)并重建更名為西安華芯半導(dǎo)體，在2015年再被紫光集團(tuán)收購(gòu)變成了今天的紫光國(guó)芯，繼續(xù)從事DRAM的研發(fā)設(shè)計(jì)，不過(guò)由于缺乏投入，其經(jīng)營(yíng)和發(fā)展并不好。
2019年6月30日，紫光集團(tuán)宣布組建DRAM事業(yè)群，委任高啟全為CEO，這意味著紫光認(rèn)為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND閃存技術(shù)推進(jìn)比較順利，開始規(guī)模投入DRAM的研發(fā)和生產(chǎn)了。
另外，2019年8月27日，紫光集團(tuán)與重慶市政府簽署紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，紫光集團(tuán)將在重慶兩江新區(qū)建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠、紫光科技園等，預(yù)計(jì)今年底動(dòng)工，2021年正式量產(chǎn)內(nèi)存，也就是說(shuō)紫光的DRAM的研發(fā)和生產(chǎn)，重慶會(huì)是其中之一，祝賀重慶！
這就非常有意思了，我國(guó)目前做DRAM的公司，除去被美國(guó)制裁打擊的福建晉華外，紫光集團(tuán)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM技術(shù)初始來(lái)源都是來(lái)自德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)。
朱一明在2019年5月的演講中還披露，長(zhǎng)鑫一共花費(fèi)25億美金用在研發(fā)和資本支出。
同時(shí)也強(qiáng)調(diào)合肥長(zhǎng)鑫具有合規(guī)完善的技術(shù)來(lái)源，同時(shí)重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)，長(zhǎng)鑫共有1萬(wàn)6千個(gè)專利申請(qǐng)。另外在設(shè)備等方面，長(zhǎng)鑫與其他龍頭公司有緊密的合作，例如與ASML合作做論文，進(jìn)一步加強(qiáng)自身的技術(shù)積累。到2019年5月為止，已經(jīng)持續(xù)投入晶圓超過(guò)15000片。
同時(shí)表示，到2019年年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)19nm 8Gb DDR4，并且實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能2萬(wàn)片每月；
2021年完成17nm技術(shù)研發(fā)。
朱一明在5月份的演講中提到的時(shí)間線最終得以如期完成，甚至可以說(shuō)提前了，
9月20日，世界制造業(yè)大會(huì)在安徽合肥開幕，本次大會(huì)上，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式宣布其自主研發(fā)的8Gb DDR4量產(chǎn)，在世界制造業(yè)大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，朱一明表示，公司投產(chǎn)的8Gb DDR4已通過(guò)多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)，注意是移動(dòng)終端，但是沒(méi)有說(shuō)是手機(jī)還是其他。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)對(duì)媒體表示：
合肥12寸晶圓廠總共有三期，全部完成后的產(chǎn)能是36萬(wàn)片每個(gè)月。
第一期滿載產(chǎn)能為12萬(wàn)片，目前為2萬(wàn)片，2020年第一季底達(dá)到4萬(wàn)片。至于什么時(shí)候第一期達(dá)到8萬(wàn)片乃至滿載產(chǎn)能12萬(wàn)片，會(huì)視研發(fā)進(jìn)程、產(chǎn)品良率、市場(chǎng)需求來(lái)決定投產(chǎn)速度。請(qǐng)注意，這個(gè)2萬(wàn)片，4萬(wàn)片，都是企業(yè)對(duì)外的宣傳口徑，只是一個(gè)概數(shù)。
在此之前一天，9月19日在深圳舉行的中國(guó)閃存峰會(huì)CFMS2019上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講，首次公開長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的技術(shù)細(xì)節(jié)，以及對(duì)DRAM技術(shù)現(xiàn)狀和未來(lái)的看法。
在這次峰會(huì)上，應(yīng)該說(shuō)對(duì)于公眾最大的疑問(wèn)得到了解釋，那就是如果長(zhǎng)鑫的技術(shù)是來(lái)自奇夢(mèng)達(dá)，而公眾認(rèn)為奇夢(mèng)達(dá)量產(chǎn)的DRAM都是過(guò)時(shí)的溝槽式（Trench），而目前市場(chǎng)主流包括長(zhǎng)鑫的DRAM都是用的堆疊式（Stack Capacitor Structure），這讓公眾對(duì)長(zhǎng)鑫的真正技術(shù)來(lái)源有所疑問(wèn)。
平爾萱是上海同濟(jì)大學(xué)應(yīng)用物理系碩士，及美國(guó)愛(ài)荷華州立大學(xué)電子工程博士。
在2017年9月加入長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司前，任職于美國(guó)應(yīng)用材料，擔(dān)任存儲(chǔ)器及材料研發(fā)總經(jīng)理一職。在此之前還曾任職于美國(guó)晟迪、美國(guó)美光等世界知名公司，先后擔(dān)任總監(jiān)、技術(shù)研發(fā)經(jīng)理等職務(wù)，擁有170項(xiàng)美國(guó)專利。
對(duì)于公眾的疑問(wèn)，平爾萱博士做出了解釋，奇夢(mèng)達(dá)在當(dāng)時(shí)已經(jīng)提出了Buried word line transistor的堆疊式概念，并且在2008年已經(jīng)基于此技術(shù)成功的做出了46nm工藝的DRAM。
只不過(guò)在堆疊式技術(shù)產(chǎn)品完成研發(fā)的2008年，金融危機(jī)讓DRAM價(jià)格斷崖式下滑，奇夢(mèng)達(dá)的Buried Word Line技術(shù)還沒(méi)來(lái)得及進(jìn)入量產(chǎn)，就在2009年破產(chǎn)，之后合肥長(zhǎng)鑫購(gòu)買了長(zhǎng)鑫的技術(shù)，并且在此基礎(chǔ)上發(fā)展到了目前量產(chǎn)的19nm工藝，并且將在2021年量產(chǎn)17nm。
我之前寫過(guò)一篇中國(guó)公司進(jìn)行海外并購(gòu)的案例搜集，收購(gòu)來(lái)自德國(guó)的技術(shù)公司真的讓中國(guó)本土制造業(yè)企業(yè)獲得了巨大的進(jìn)步。
事實(shí)上我國(guó)制造業(yè)通過(guò)收購(gòu)獲取的技術(shù)，來(lái)自德國(guó)應(yīng)該是最多的，比日本和美國(guó)都多，
以德國(guó)為例，就有被美的收購(gòu)的庫(kù)卡機(jī)器人，被山東濰柴收購(gòu)的林德液壓，
以及DRAM技術(shù)被中國(guó)收購(gòu)的奇夢(mèng)達(dá)，還有被徐工收購(gòu)的全球工程機(jī)械50強(qiáng)的施維英，
如果看整個(gè)歐洲的話，其他還有被中資收購(gòu)的意大利倍耐力輪胎，瑞士的先正達(dá)集團(tuán)等等，另外法國(guó)的阿爾斯通和德國(guó)西門子也對(duì)我國(guó)轉(zhuǎn)讓了高鐵技術(shù)。
一方面要感謝2008年的金融危機(jī)，一方面歐洲還真的算是中國(guó)的好伙伴了。
另外和NAND閃存類似，DRAM市場(chǎng)也是高資本支出和技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，因此長(zhǎng)鑫實(shí)現(xiàn)了初步的量產(chǎn)，不代表其短期內(nèi)可以大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，其對(duì)媒體的信息也明確的表示，什么時(shí)候能夠達(dá)到第一期規(guī)劃的12萬(wàn)片每個(gè)月產(chǎn)能，會(huì)視研發(fā)進(jìn)程、產(chǎn)品良率、市場(chǎng)需求來(lái)決定投產(chǎn)速度，請(qǐng)注意，即使長(zhǎng)鑫能夠達(dá)到第一期的12萬(wàn)片月設(shè)計(jì)產(chǎn)能，其全球DRAM市場(chǎng)的份額也是低于10%的。
最后簡(jiǎn)單做個(gè)總結(jié)：
1：短期內(nèi)，不要奢望中芯國(guó)際超越臺(tái)積電，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫能夠超越三星。
我國(guó)顯示面板行業(yè)的老大京東方，2005年開始液晶面板的量產(chǎn)，距今已經(jīng)14年了，在技術(shù)水平，營(yíng)收和盈利上也還沒(méi)有趕上三星顯示面板業(yè)務(wù)的水平。更不要說(shuō)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器廠家了。
以2019年為例，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢1-9月的資本支出為118億人民幣，不到20億美元，而三星2019年Q4的單季度計(jì)劃資本支出就是105億美元，這其中大部分是半導(dǎo)體制造支出。
2019年我們只是在第四季度終于解決了有無(wú)的問(wèn)題，在技術(shù)上依然落后最先進(jìn)水平，而營(yíng)收和產(chǎn)能的擴(kuò)張也要受到技術(shù)進(jìn)步速度，市場(chǎng)價(jià)格，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)水平的影響。
即使是野心勃勃的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，其目標(biāo)也只是四年后，到2023年市占率20%，能否實(shí)現(xiàn)也還是未知數(shù)，要知道即使達(dá)到20%的市占率，總體也還是離三星這樣的領(lǐng)頭羊有很大差距，更不要說(shuō)盈利趕超。
至于技術(shù)難度更大的DRAM就更不用說(shuō)了，第一期12萬(wàn)片的月產(chǎn)能即使全部完成，全球市占率也不到10%，更何況目前第一期何時(shí)能夠滿產(chǎn)，連長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)自己也要視市場(chǎng)變化和技術(shù)進(jìn)步情況而定。
我國(guó)的NAND閃存和DRAM在2019年底的相繼量產(chǎn)，并且暫時(shí)趕上了市場(chǎng)主流產(chǎn)品的車尾，對(duì)我國(guó)的意義，主要在于避免下游企業(yè)，包括華為，中興，聯(lián)想，浪潮，小米，OV等公司再次出現(xiàn)被三星，海力士，東芝，美光等存儲(chǔ)器公司大肆收割了終端產(chǎn)品銷售利潤(rùn)的情況發(fā)生。當(dāng)然了，要實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，還需要上下游共同配合，
下游的國(guó)產(chǎn)品牌需要逐漸將長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器導(dǎo)入到主流出貨產(chǎn)品尤其是旗艦產(chǎn)品中，而上游的長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也要根據(jù)技術(shù)和市場(chǎng)價(jià)格的變化而擴(kuò)張產(chǎn)能，這都還需要時(shí)間。
中芯國(guó)際離量產(chǎn)7nm還有多遠(yuǎn)？
比起長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，更為急迫的是中芯國(guó)際，
爭(zhēng)分奪秒的實(shí)現(xiàn)14nm/12nm進(jìn)入技術(shù)成熟制程，并且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)7nm量產(chǎn)才是最重要任務(wù)，畢竟形勢(shì)不等人，臺(tái)積電的先進(jìn)制程對(duì)華為來(lái)說(shuō)是一把達(dá)摩克里斯之劍，華為不管是5G設(shè)備還是智能手機(jī)，都高度依賴臺(tái)積電。
中芯國(guó)際在2015年和華為，高通以及比利時(shí)IMEC(比利時(shí)大學(xué)校際微電子研究中心)共同成立合資公司，中芯國(guó)際作為最大股東，共同研發(fā)14納米芯片工藝。
下圖來(lái)自西南證券，其根據(jù)中芯國(guó)際的數(shù)據(jù)進(jìn)行整理，從2015年開始，中芯國(guó)際開始了對(duì)14nm的研發(fā)投入，到2019年底真正量產(chǎn)用了四年的時(shí)間。
而根據(jù)2017年初時(shí)任中芯CEO的邱慈云，以及在當(dāng)年5月接替他的中芯CEO趙海軍（現(xiàn)在和梁孟松一起是Co-CEO），兩位均提到中芯國(guó)際將在2017年啟動(dòng)對(duì)7nm技術(shù)的研發(fā)。
那么我們可以認(rèn)為中芯開始7nm研發(fā)的時(shí)間是在2017年下半年。
到今天的進(jìn)度，中芯國(guó)際一直沒(méi)有披露，按照比較樂(lè)觀的估計(jì)，應(yīng)該是在2021年中到年底開始量產(chǎn)，用三年半到四年的時(shí)間完成。
我們可以對(duì)比下臺(tái)積電，臺(tái)積電的16nm量產(chǎn)的時(shí)間是2014年Q3，其7nm量產(chǎn)的時(shí)間是2018年Q2，用了差不多4年的時(shí)間。
我們可以回憶下，中芯國(guó)際的14nm在2019年底才第一次形成有意義的營(yíng)收，而中芯國(guó)際在2018年8月9日發(fā)布的2018年上半年財(cái)報(bào)首次提到技術(shù)進(jìn)展：
我們欣喜地告訴大家，在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。
也就是在14nm技術(shù)上，中芯國(guó)際提前了大約一年半通知市場(chǎng)取得了重大進(jìn)展，開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。如果我們按照2021年12月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)計(jì)算的話，那么到今天還有25個(gè)月的時(shí)間，這段時(shí)間對(duì)華為來(lái)說(shuō)會(huì)比較難熬。
就性能方面的差距而言，中芯國(guó)際的聯(lián)席CEO趙海軍在2017年9月7日的北京微電子國(guó)際研討會(huì)上做了《專注大生產(chǎn)技術(shù)》的演講，其中提到：
首先，在die尺寸方面，從28nm到14nm，按正比例縮小，可以縮小到原來(lái)四分之一，而從14nm到7nm，又進(jìn)一步縮小了四分之三；
其次，在性能方面，從28nm到14nm，提升了44%，而從14nm到7nm，性能又提升了43%。而中芯國(guó)際如果攻克從28nm到7nm難關(guān)的話，性能可以提升68%。
2：技術(shù)的來(lái)源與本土化
現(xiàn)在基本上是清楚的，
中芯國(guó)際：以來(lái)自臺(tái)灣的高級(jí)研發(fā)人才為核心推進(jìn)自主化集成電路制造技術(shù)；
長(zhǎng)江存儲(chǔ)：
32層NAND閃存來(lái)自于技術(shù)授權(quán)，64層為自主開發(fā)的Xtacking?架構(gòu)，中科院給予長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND閃存開發(fā)給予了很大的技術(shù)支持；
DRAM技術(shù)以原德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)西安研發(fā)團(tuán)隊(duì)為班底進(jìn)行開發(fā)。
合肥長(zhǎng)鑫：
來(lái)自于德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)的技術(shù)授權(quán)基礎(chǔ)上自主開發(fā)，根據(jù)朱一明2019年9月的講話，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)建立了一支擁有自主研發(fā)實(shí)力、工作經(jīng)驗(yàn)豐富的成建制國(guó)際化團(tuán)隊(duì)。目前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)員工總數(shù)超過(guò)2700人，核心技術(shù)人員超過(guò)500人
還是那句話，希望本土一流集成電路制造專家早日脫穎而出。
3：感謝2014年推動(dòng)集成電路大基金的那群人
2014年的中國(guó)國(guó)家集成電路大基金的成立，可以說(shuō)是過(guò)去10年以來(lái)中國(guó)制造業(yè)的最大的里程碑事件之一，
我國(guó)制造業(yè)其他方面的大事件，如果要和集成電路大基金比較的話，
2000年—2010年：
一個(gè)是華為為首的國(guó)產(chǎn)通信設(shè)備產(chǎn)業(yè)持續(xù)崛起，
一個(gè)是以2008年首條高鐵通車為標(biāo)志的中國(guó)高鐵網(wǎng)絡(luò)，
一個(gè)是以2009年首個(gè)特高壓電網(wǎng)部署為標(biāo)志的中國(guó)電網(wǎng)，
2010-2020年：
一個(gè)是殲20首飛（2011年）和國(guó)產(chǎn)航母下水（2017年）為標(biāo)志的中國(guó)軍工產(chǎn)業(yè)
一個(gè)是以空間站（天宮一號(hào)2011年），貨運(yùn)飛船（天舟一號(hào)2017年），長(zhǎng)征五號(hào)（2016年首飛）和北斗導(dǎo)航衛(wèi)星（2020年完成全球組網(wǎng)）為標(biāo)志的中國(guó)航天產(chǎn)業(yè)
一個(gè)是在全球競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出的華為，小米，OPPO, VIVO以及聯(lián)想五大全球消費(fèi)電子品牌,以及海康威視，中興等電子品牌。
一個(gè)是集成電路大基金成立（2014年），
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立（2016年），長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層256Gb NAND閃存量產(chǎn)（2019年）;
合肥長(zhǎng)鑫成立（2016年），長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)8Gb DDR量產(chǎn)（2019年）
中芯國(guó)際28nm量產(chǎn)（2015年），中芯國(guó)際14nm量產(chǎn)（2019年）
除此之外，實(shí)際上2020年我國(guó)還會(huì)有2015年開工建設(shè)的華龍一號(hào)核電站進(jìn)入商用，
以及國(guó)產(chǎn)ARJ 21支線噴氣式客機(jī)商用（2015年），國(guó)產(chǎn)C919大飛機(jī)首飛（2017年）
但是如果我們看2010-2020年的這些中國(guó)制造業(yè)的里程碑式的事件，會(huì)發(fā)現(xiàn)2014年的集成電路大基金成立是唯一不在“長(zhǎng)期計(jì)劃”內(nèi)的事件。
其他的領(lǐng)域，不管是國(guó)家主導(dǎo)的航天，噴氣式民航飛機(jī)，國(guó)產(chǎn)航母，四代機(jī)，
還是民營(yíng)企業(yè)主導(dǎo)的國(guó)產(chǎn)消費(fèi)電子品牌全球份額猛增，都是多年前就已經(jīng)開始了計(jì)劃，準(zhǔn)備或者發(fā)展，某種意義上有種水到渠成的意味。
而唯有2014年的集成電路大基金，更像是短期籌備，快速?zèng)Q策并且形成國(guó)家意志的產(chǎn)物。
而該基金成立之后，到第一期結(jié)束陸續(xù)對(duì)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)投入了上千億人民幣，而其中絕大部分投入到了中芯國(guó)際，長(zhǎng)江存儲(chǔ)這樣的集成電路制造業(yè)，很大的推動(dòng)了國(guó)產(chǎn)集成電路制造的發(fā)展，同時(shí)大量的資金也投向了設(shè)計(jì)和封測(cè)產(chǎn)業(yè)。
而如果這個(gè)基金不是2014年成立，而是2015年，2016年甚至2017年才成立，那么中國(guó)在2018年遭遇貿(mào)易戰(zhàn)和技術(shù)打擊之后的情況又會(huì)不一樣了。
恰恰是2014年成立的大基金，在2018-2019年中國(guó)開始受到美國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)打擊之前贏得了數(shù)年的時(shí)間，讓長(zhǎng)江存儲(chǔ)，中芯國(guó)際等企業(yè)得到了巨大的支持和發(fā)展。
希望以后能有深度報(bào)道這個(gè)大基金出爐的全過(guò)程，是怎樣的一群人前瞻性的推動(dòng)了其出臺(tái)并且最終上升為國(guó)家戰(zhàn)略。
包括馬云親自帶的風(fēng)清揚(yáng)班就是培養(yǎng)阿里的未來(lái)合伙人，下一代接班人。所以，馬云是把時(shí)間花在人上面，并不能說(shuō)他完全真正的退休。詳細(xì)
