武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡(jiǎn)稱“武漢新芯”）作為武漢在集成電路領(lǐng)域布局最早的代表性企業(yè)，已在閃存研發(fā)制造領(lǐng)域深耕十多年，近年來(lái)還著力布局自有品牌NOR Flash業(yè)務(wù)。近日，半導(dǎo)體行業(yè)觀察多次與武漢新芯相關(guān)人士溝通交流，深入挖掘了這家本土NOR Flash廠商的進(jìn)擊之路。
優(yōu)勢(shì)整合，挖掘NOR Flash業(yè)務(wù)增長(zhǎng)新路徑
自2008年第一片NOR Flash晶圓下線以來(lái)，武漢新芯在閃存領(lǐng)域已積累了十多年的研發(fā)制造經(jīng)驗(yàn)，通過(guò)與閃存領(lǐng)域世界級(jí)企業(yè)Spansion（現(xiàn) Cypress）聯(lián)合研發(fā)，不斷迭代工藝技術(shù)，武漢新芯NOR Flash工藝節(jié)點(diǎn)已從最初的90nm延伸到65nm，甚至到更先進(jìn)的45和32nm。憑借先進(jìn)的工藝制程控制水平和穩(wěn)定的品質(zhì)保證及供貨能力，武漢新芯已成為全球知名大客戶的信賴伙伴。
2016年，全球半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)上演深度調(diào)整與整合，市場(chǎng)經(jīng)歷小幅的衰退，武漢新芯需要重新考慮公司如何在已有業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上，尋求新的利益增長(zhǎng)點(diǎn)？此時(shí)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商都聚焦在高端工藝的追逐。為有效管控企業(yè)風(fēng)險(xiǎn)和平衡產(chǎn)能利用率，武漢新芯選擇另辟蹊徑，決定深入挖掘深耕多年的NOR Flash業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)新路徑。
火力全開(kāi)，拓展NOR Flash領(lǐng)域更具優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品
基于在閃存領(lǐng)域深厚的技術(shù)積累以及對(duì)市場(chǎng)、客戶需求的深入了解，武漢新芯在近日推出了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的、使用50nm Floating Gate工藝打造的SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb，支持低功耗寬電壓工作，能為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感的應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
XM25QWxxC系列產(chǎn)品在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)讀取速度可達(dá)133MHz（在所有單/雙/四通道SPI和QPI模式下均支持），可以更好地支持電池供電便攜式產(chǎn)品的工作要求。在電源電壓下降后，時(shí)鐘速度沒(méi)有任何減慢，其傳輸速率可以勝過(guò)8位和16位并行閃存。在連續(xù)讀取模式下能實(shí)現(xiàn)高效的存儲(chǔ)器訪問(wèn)，僅需8個(gè)時(shí)鐘的指令周期即可讀取24位地址，從而實(shí)現(xiàn)真正的芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP,eXecute In Place）操作，這樣系統(tǒng)可以直接從Flash閃存內(nèi)讀取指令并執(zhí)行，不必再把代碼讀到RAM中運(yùn)行，加快了數(shù)據(jù)處理速度，更好地滿足各類嵌入式應(yīng)用的實(shí)時(shí)性要求。
該系列產(chǎn)品不僅在電壓范圍和數(shù)據(jù)讀取方面表現(xiàn)突出，其工作溫度也可以達(dá)到-40℃到105℃的工業(yè)級(jí)溫度范圍，這能滿足物聯(lián)網(wǎng)、工控、通訊等對(duì)外部工作環(huán)境要求苛刻的應(yīng)用模塊。樂(lè)鑫科技對(duì)此表示：“我們與武漢新芯合作的該系列產(chǎn)品容量覆蓋16-128Mbit，其新品支持低功耗寬電壓工作，高溫可達(dá)105℃，能滿足樂(lè)鑫科技全系列物聯(lián)網(wǎng)芯片，智能家居及工業(yè)模組的應(yīng)用要求?！?/p>
XM25QWxxC系列除了支持SOP8和USON8小尺寸封裝，在中高容量產(chǎn)品也將針對(duì)可穿戴設(shè)備等尺寸受限的應(yīng)用推出WLCSP封裝，協(xié)助客戶將空間利用發(fā)揮到極致。全線產(chǎn)品支持Known Good Die (KGD)解決方案，并為客戶提供RDL服務(wù)，滿足客戶定制化的SiP需求。
“XM25QWxxC系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)的50nm Floating Gate工藝，在性能和成本方面進(jìn)一步提高了競(jìng)爭(zhēng)力?！蔽錆h新芯運(yùn)營(yíng)中心副總裁孫鵬先生表示，“針對(duì)快速發(fā)展的IoT和5G市場(chǎng)，武漢新芯將持續(xù)投入研發(fā)自有品牌的閃存產(chǎn)品，不斷拓展產(chǎn)品線，為客戶帶來(lái)更多高性價(jià)比的產(chǎn)品與解決方案?！?/p>
武漢新芯的50nm產(chǎn)品在Channel length、Layout、Design rule以及外圍電路方面都做了優(yōu)化，有效節(jié)省芯片面積，綜合成本全球最低。其中256Mb大容量寬電壓產(chǎn)品die size比市場(chǎng)主流產(chǎn)品縮小15%-20%左右，且可支持SOP8小尺寸封裝形式。
基于公司在NOR Flash領(lǐng)域先進(jìn)的閃存研發(fā)技術(shù)和高效的產(chǎn)品研發(fā)體系，穩(wěn)定可靠的生產(chǎn)平臺(tái)和快速響應(yīng)的交付能力，武漢新芯有信心將自有品牌NOR Flash業(yè)務(wù)推廣到PC、通訊、電表等高端應(yīng)用市場(chǎng)，后續(xù)更大容量、更小尺寸、更低功耗、更高標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品也將逐步推向市場(chǎng)。
今天是《半導(dǎo)體行業(yè)觀察》為您分享的第2309期內(nèi)容，歡迎關(guān)注。
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