就部分網(wǎng)傳中芯國際今年出產(chǎn)7nm的報道，《電子工程專輯》致電相關(guān)人士了解N+1工藝節(jié)點細(xì)節(jié)，得到以下解釋：
【至于N + 1，我們的NTO是去年第四季度。目前正處于客戶產(chǎn)品驗證階段，我們預(yù)計第四季度會產(chǎn)生有限產(chǎn)量。
關(guān)于N + 1，如果我們比較14nm和N+1，N+1性能提高了20％，功耗降低了57％，邏輯面積降低了63％，SOC面積降低了55％。因此與市場上的7nm相比，實際上在功率和穩(wěn)定性方面非常相似，唯一的區(qū)別是性能，N + 1的性能提高了約20％，但就市場基準(zhǔn)而言，大概是35％。這是唯一的差距。
因此，就功率和穩(wěn)定性而言，您可以將其稱為7nm，而在性能方面確實要比7nm差。我們對N + 1的目標(biāo)是低成本的應(yīng)用，可以將成本相對7nm減少10%左右。因此，這是一個非常特殊的應(yīng)用?！?/strong>
根據(jù)以上說明，“N+1”是中芯國際的官方代號，中芯國際并沒有說它是7nm節(jié)點。部分網(wǎng)傳可能是曲解了中芯國際Co-CEO梁孟松博士在最近的財政年度報告會議的內(nèi)容。
也有專業(yè)人士分析，從參數(shù)上來看，這個n+1實際上就是臺積電和三星的10nm節(jié)點，因為它只提升了20%的性能，遠低于臺積電計劃的30%和實際的35%——業(yè)界現(xiàn)在以35%為市場基準(zhǔn)。這么低的性能提升顯然不能被稱為7nm，它更像三星的第二代10nm和第三代10nm（就是8nm）。
綜上，今年第四季度量產(chǎn)的應(yīng)該是14nm的優(yōu)化版本12nm，在進入7nm之前，隨著14nm華為的訂單的導(dǎo)入，期待中芯國際能拿到更多的14/12nm訂單，以便為7nm的研發(fā)積蓄力量。
EUV沒搞定，7nm怎么辦？《電子工程專輯》從SMIC官方聲明中了解到，EUV對于目前N+1階段是不必要的，當(dāng)然如果未來能從ASML得到EUV，可能對N+2有用。
N+2與7nm的穩(wěn)定性接近，但性能還是差一些。
前段時間中芯國際四季度財報中，粱孟松博士也明確說中芯國際可以不用EUV的光刻機實現(xiàn)7nm工藝（當(dāng)然后面5nm/ 3nm還是要用的）。
從TSMC的歷史經(jīng)驗來看，第一代7nm（低功耗的N7）沒用EUV，后面一些衍生版本才用到——而且用的不多，據(jù)稱大幾十層光罩中，只有屈指可數(shù)的幾層用了EUV。
當(dāng)然，中芯國際如果今年能拿到ASML的光刻機的話，下一代節(jié)點的演進肯定會加速。
